[ Содержание ]
Увлекаетесь электроникой?
Приглашаем Вас принять участие
в бета-тестировании онлайн-редактора
электрических схем.
sapr.asvcorp.ru
Работайте со схемами прямо из браузера.

1.3. Параметры цифровых интегральных микросхем

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров ИС, применяемые в науке, технике и производстве, установлены согласно ГОСТам:
ГОСТ 19480-74 (СТ СЭВ 1817-79, 4755-84, 4756-84) «Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров».
ГОСТ 17021-88 «Микросхемы интегральные. Термины и определения».

В табл. 1.4 приведен перечень основных электрических параметров, их буквенные обозначения и определения, установленные этими ГОСТами. Вместе с тем в перечень не включены обозначения и определения параметров, широко распространенных в научно-технической литературе по радиотехнике, таких, как частота f, длительность импульса tи, входное напряжение Uвх и другие. Читателям, которые желают ознакомиться с полным перечнем электрических параметров, их буквенными обозначениями и определениями, рекомендуем обратиться к упомянутым ГОСТам.

Таблица 1.4. Параметры, характерные для цифровых интегальных микросхем
ТерминобозначениеОпределение
международноеотечественное
Напряжение питания UccUипЗначение напряжения источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы взаданном режиме
Входное напряжение низкого уровняUIL обозначение входного напряжения низкого уровняЗначение входного напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы
Входное напряжение высокого уровняUIHобозначение входного напряжения высокого уровняЗначение входного напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы
Выходное напряжение низкого уровняUOLобозначение выходного напряжения низкого уровняЗначение выходного напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы
Выходное напряжение высокого уровняUOHобозначение выходного напряжения высокого уровняЗначение выходного напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы
Входной ток низкого уровняIIL обозначение входного тока при напряжении низкого уровняЗначение входного тока при напряжении низкого уровня на входе интегральной микросхемы
Входной ток высокого уровняIIHобозначение входного тока при напряжении высокого уровняЗначение входного тока при напряжении высокого уровня на входе интегральной микросхемы
Выходной ток низкого уровняIOLобозначение выходного тока при напряжении низкого уровня Значение выходного тока при напряжении низкого уровня на выходе интегральной микросхемы
Выходной ток высокого уровняIOH обозначение выходного тока при напряжении высокого уровняЗначение выходного тока при напряжении высокого уровня на выходе интегральной микросхемы
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения ICCLобозначение потребляемого тока при выходном напряжении низкого уровняЗначение тока, потребляемого интегральной микросхемой от источника питания при низком уровне выходного напряжения
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения ICCHобозначение потребляемого тока при выходном напряжении высокого уровняЗначение тока, потребляемого интегральной микросхемой от источника питания при высоком уровне выходного напряжения
Средняя потребляемая мощностьPссPпот срЗначение мощности, равное полусумме мощностей, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях
Время задержки распространения при включении tPHLобозначение времени задержки сигнала при переходе из единицы в ноль при уровне 0.5Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном значении напряжения
Время задержки распространения при выключении tPLHобозначение времени задержки сигнала при переходе из ноля в единицу при уровне 0.5Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном значении напряжения
Время задержки включенияtDHLобозначение времени задержки сигнала при переходе из единицы в ноль при уровне 0.1 Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Время задержки выключенияtDLHобозначение времени задержки сигнала при переходе из ноля в единицу при уровне 0.9 Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения
Время перехода при включении tTHLобозначение длительности среза Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
Время перехода при выключенииtTLHобозначение длительности фронтаИнтервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
Коэффициент разветвления по выходуNKразЧисло единичных нагрузок, которое можно подключить к выходу интегральной микросхемы

Valid XHTML 1.0 Transitional